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La memoria flash più veloce al mondo è cinese: scrive in soli 400 picosecondi

by webmaster | Apr 20, 2025 | Tecnologia

Un team dell’Università di Fudan ha sviluppato PoX, una memoria flash non volatile ultra-veloce basata su grafene capace di scrivere in soli 400 picosecondi. La nuova soluzione potrebbe potenzialmente aprire nuovi scenari nel settore dell’IA e non solo.

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Scritto da Flavio Perrone, consulente informatico e appassionato di tecnologia e lifestyle. Con una carriera che abbraccia più di tre decenni, Flavio offre una prospettiva unica e informata su come la tecnologia può migliorare la nostra vita quotidiana.