da Hardware Upgrade :
Intel e AMD si sposteranno, con le proprie piattaforme tanto desktop come mobile e server, sempre più in modo diretto ed esclusivo verso lo standard di memoria DDR5. Come noto AMD debutterà nel corso delle prossime settimane con i nuovi processori Ryzen 7000 basati su architettura Zen 4, con i quali per l’appunto passerà alla memoria DDR5 nei sistemi desktop.
Samsung, tra i principali produttori di memoria al mondo, ha in previsione il debutto di moduli memoria da ben 512GB di capacità ciascuno da utilizzare in ambienti datacenter, grazie all’utilizzo di chip DDR5 da 16Gb e 24Gb di densità ciascuno: vedremo questi moduli memoria tra fine 2022 e inizio 2023.
L’evoluzione successiva, attesa tra fine 2023 e inizio 2024, prevede l’adozione di moduli memoria da 1TB di capacità ciascuno, ottenuti utilizzando chip da 32Gb di capacità. Parallelamente all’aumento della densità e quindi del quantitativo di dati memorizzato Samsung intende anche fare passi in avanti sul piano della velocità di trasmissione, arrivando nel 2025 a proporre moduli memoria DDR5 da 7.200 MT/s.
Le specifiche JEDEC delle memorie DDR5 permettono di costruire degli stack di un massimo di 16 chip memoria arrivando sino a un totale di 64Gb di capacità per ogni stack: è per questo motivo che l’obiettivo di chip da 32Gb di capacità ciascuno, con i quali poter sviluppare moduli da 1TB di capacità complessivi, sarà accessibile nel giro di meno di 2 anni.
L’evoluzione delle memorie DDR5, nelle aspettative di Samsung, vedrà quindi da un lato un incremento sensibile della densità di memorizzazione per ogni modulo toccando valori molto elevati, dall’altro un progressivo aumento della bandwidth di trasferimento dei dati. Nel primo caso ne beneficeranno soprattutto i clienti del mondo datacenter, con moduli memoria da 1TB di capacità che renderanno possibili configurazioni con memoria locale in quantità molto più elevata di quanto accessibile ad oggi. Nel secondo invece saranno principalmente i sistemi desktop a trarne vantaggio, con frequenze sempre più elevate e prestazioni che tenderanno ad aumentare in modo proporzionale seguendo le stesse dinamiche viste in passato con le precedenti generazioni di tecnologia di memoria.