da Hardware Upgrade :
La richiesta di auto elettriche aumenta costantemente e sta portando diverse aziende e istituti di ricerca ad investire in tecnologie e materiali che supportino il cambio fra la mobilit tradizionale e quella a zero emissioni rendendo questultima maggiormente competitiva, sia a livello di costi del prodotto finito, sia a livello di prestazioni offerte. La realizzazione di veicoli elettrici di nuova generazione esiger una tecnologia che soddisfi severi requisiti di efficienza, affidabilit, eliminazione dei difetti e riduzione dei costi, richieste a cui gli inverter SiC sanno rispondere adeguatamente: un inverter basato su SiC (carburo di silicio) pu raggiungere un’efficienza fino al 99% (rispetto a un’efficienza compresa tra il 97% e il 98% di un inverter standard nel trasferimento di energia dalla batteria al motore) ed in grado di operare anche in condizioni proibitive (per temperatura, radiazioni, agenti chimici aggressivi); inoltre uno dei substrati di riferimento per la crescita di grafene.
STMicroelectronics intende essere capace di soddisfare la domanda di questa componentistica e costruir un impianto di produzione di substrati epitassiali SiC da 150 mm in volume in Italia, precisamente a Catania; il centro sar il primo del suo genere in Europa ed avr al suo interno tutte le fasi del flusso di produzione: a partire dal 2023 la produzione consentir una fornitura equilibrata di substrato di SiC tra fonti interne ed esterne.
“ST costruir un nuovo substrato integrato di carburo di silicio e un impianto di produzione di epitassia a Catania per supportare i prossimi programmi di grandi volumi dei clienti automobilistici e industriali di ST mentre passano all’elettrificazione e cercano un funzionamento pi efficiente delle apparecchiature”, ha affermato Gianfranco Di Marco, capo di comunicazioni di marketing per il sottogruppo Power Transistor di STMicroelectronics. “Sar un impianto unico nel suo genere in Europa e verr posizionato vicino all’esistente fabbrica SiC da 6 pollici in uno dei centri di eccellenza pi rinomati al mondo per i semiconduttori di potenza. ST si impegna a sviluppare anche wafer da 200 mm nel prossimo futuro. La struttura rafforzer ulteriormente l’ecosistema specializzato dei semiconduttori di potenza in Italia, dalla ricerca e sviluppo alla progettazione e produzione, basandosi sui legami di lunga data con universit, istituti di ricerca come il CNR e fornitori; il centro sar uno dei pi grandi ecosistemi europei di semiconduttori di potenza e catene di approvvigionamento automobilistiche e industriali europee”.