E sembra incredibile, ma sono proprio piccoli difetti nella struttura di alcune sostanze a preparare il terreno per la futura memoria ultraveloce, che potrebbe rivoluzionare l’efficienza e le prestazioni dei computer e dei sistemi avanzati basati sull’Intelligenza Artificiale. Un team internazionale di ricercatori, con a capo l’Università Cattolica del Sacro Cuore di Brescia e la Scuola Internazionale Superiore di Studi Avanzati di Trieste, ha scoperto che è grazie a questi difetti che alcuni materiali possono passare da isolanti a conduttori di elettricità. Lo studio, pubblicato su Nature Communications, potrebbe aprire la strada a dispositivi innovativi in grado di memorizzare dati modificando la loro resistenza o di imitare la struttura del cervello umano.
“Nonostante l’importanza tecnologica di questo processo, si pensava che il cambiamento improvviso delle proprietà elettriche dei dispositivi fosse causato da fluttuazioni locali e casuali”, afferma Alessandra Milloch, prima autrice dello studio condotto da Claudio Giannetti. In realtà, i ricercatori hanno scoperto che queste transizioni dipendono da difetti nella struttura del materiale.
Per indagare ulteriormente su questo fenomeno, gli autori dello studio hanno utilizzato i “materiali di Mott”, isolanti che possono passare allo stato conduttivo. “Questa scoperta è stata il risultato di un esperimento all’avanguardia”, dichiara Giannetti, spiegando che i ricercatori hanno impiegato tecniche di microscopia a raggi X. “Il nostro obiettivo è riuscire a controllare completamente questo processo e progettare dispositivi in grado di operare a velocità mai viste prima”.
Questi risultati promettenti potrebbero cambiare radicalmente il panorama tecnologico, aprendo la strada a nuove frontiere nella memorizzazione dati e nell’informatica avanzata.