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giovedì, Apr 20

SK hynix ha spedito i primi sample di memoria HBM3 a 12 strati

da Hardware Upgrade :

Attraverso un comunicato stampa, SK hynix ha annunciato che i prototipi di memoria HBM3 a 12 strati sono stati spediti ai partner per valutarne le prestazioni. L’azienda ritiene di poter avviare la produzione di massa già nella prima metà dell’anno così da soddisfare la crescente richiesta di memoria ad alte prestazioni.

La memoria HBM (High Bandwidth Memory) è un progetto che impila verticalmente i chip DRAM aumentandone notevolmente la velocità di elaborazione dati rispetto alle DRAM tradizionali. Si tratta di una soluzione adottata in particolar modo nel settore dell’intelligenza artificiale, in costante crescita grazie allo sviluppo di chatbot come ChatGPT.

La sua quarta iterazione, ovvero HBM3, aumenta la capacità della memoria del 50% rispetto alle precedenti. Nello specifico, i nuovi chip di SK hynix raggiungono i 24 GB grazie al metodo MR-MUF (Advanced Mass Reflow Molded Underfill) al quale è stata abbinata la tecnologia TSV (Through Silicon Via) che ha consentito di ridurre lo spessore del chip del 40%. Il risultato è una memoria con una capacità del 50% superiore che mantiene la stessa altezza dei chip da 16 GB.

La memoria sii presenta con una bandwidth di 819 GB/s. Secondo l’azienda sudcoreana ci troviamo di fronte a un incremento del 78% nella velocità di processo dei dati rispetto alla HBM2E (460 GB/s).

SK hynix è stata in grado di sviluppare costantemente i prodotti HBM ad alta velocità e ad alta capacità grazie alle sue tecnologie leader utilizzate nel processo di back-end. La società prevede di completare i preparativi per la produzione di massa del nuovo prodotto entro la prima metà dell’anno per consolidare ulteriormente la sua leadership nel mercato DRAM all’avanguardia nell’era dell’IA” ha dichiarato Sang Hoo Hong, responsabile Package & Test di SK hynix.

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