Un team di ricercato ha sviluppato un nuovo tipo di memoria ferroelettrica basata su FeMFET in biossido di afnio, integrata in chip sotto i 3 nm. La tecnologia permette calcoli direttamente in memoria, riducendo drasticamente latenza e consumo
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L’Authority Gb avvia un’indagine su X per i deepfake sessuali – Notizie
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