In sintesi
[ad_1] Un team di ricercato ha sviluppato un nuovo tipo di memoria ferroelettrica basata su FeMFET in biossido di afnio, integrata in chip sotto i 3 nm. La tecnologia permette calcoli direttamente in memoria, riducendo drasticamente latenza e consumo [ad_2]…
Un team di ricercato ha sviluppato un nuovo tipo di memoria ferroelettrica basata su FeMFET in biossido di afnio, integrata in chip sotto i 3 nm. La tecnologia permette calcoli direttamente in memoria, riducendo drasticamente latenza e consumo
