Un team di ricercato ha sviluppato un nuovo tipo di memoria ferroelettrica basata su FeMFET in biossido di afnio, integrata in chip sotto i 3 nm. La tecnologia permette calcoli direttamente in memoria, riducendo drasticamente latenza e consumo
Articolo Originale
TCL porta la sua “Greatness” a Milano-Cortina 2026
TCL presidierà l’area della Stazione Centrale di Milano fino al 22 febbraio, offrendo un punto d’incontro dedicato a utenti e consumatori per raccontare la TCL di oggi: un marchio globale con una forte identità nel mondo dei display, dell’elettronica di consumo e…


